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瑞芯微发布两颗全新通用快充协议芯片-公司变更记录查询

2021-04-22 03:03:30 标签:瑞芯微

近日,瑞芯微发布了两颗全新的通用快充协议芯片,分别是RK835、RK837。

瑞芯微发布两颗全新通用快充协议芯片 

RK835通过了PD2.0、PD3.0、PPS认证,编号TID 4325,支持QC 2.0、QC 3.0、QC 4.0、QC 4.0+、VOOC快充协议,能够快速便捷与各类电源芯片对接,支持18W-100W输出。

内部集成ARM Cortex-M0内核、60KB Flash、1KB RAM,从而实现对PD和其他专有快充协议的支持,可以承受10万次以上的重复烧录。

它可用于电源角色的USB Type-C和PD物理层,并支持E-Marker线缆供电,超低功耗模式下耗电量低于10μA。

核心特性:

内部集成ADC,可连续检测电压、电流、温度,以及通过GPIO引脚反馈的系统参数

所有的GPIO均可配置成边缘触发中断,DP/DM引脚可配置UART模式和BC1.2模式

支持I2C接口和主从模式,集成输出放电功能

DP/DM/CC1/CC2引脚均支持24V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置过流、过压、过热保护

瑞芯微发布两颗全新通用快充协议芯片 

RK837除了通过PD2.0/PD3.0/PPS认证(TID 5141),还通过了高通QC4+认证,证书编号20210303222。

内部集成Flash、RAM分别增加到64KB、2KB,同样支持10万次以上的重复烧录。

核心特性:

支持USB Type-C和Type-A双接口,支持I2C接口

集成NMOS驱动,VBUS开关管可使用低成本性能好的NMOS,内部集成快速放电电路

内部集成高精度ADC,可实现3-22V以10mV精度输出,使用5mΩ取样电阻,可实现0.1-12A以12mA精度恒流

DP/DM/CC1/CC2引脚均支持26V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置过流、过压、过热保护