40纳米工艺 现代推出低功耗DDR2内存
Hynix LP DDR2 内存有效频率为1066MHz，这个速度在当前所有的移动DRAM解决方案中是最快的，同时在所有MCP (multi chip package)或PoP (package on package)封装移动DRAM产品容量也是最高的。这款内存的工作电压为1.2V，数据带宽最高可达4.26GB/s，从而可以为移动设备带来极高的带宽性能。
此产品满足JEDEC标准要求，并且可以在下一代智能手机、smartbook以及平板电脑上应用。Hynix计划在2010年上半年开始量产，从而将可以满足对高容量移动DRAM产品日益增长的需求。
Hynix率先在2008年推出了50nm工艺2Gb移动DDR产品，而此次这款产品的推出则进一步巩固了其在移动DRAM产品中的领先地位。Hynix表示该公司在将来将会继续努力保持公司的竞争力。